近日,全球领先的智能终端制造商OPPO发布的最新款旗舰手机Find X8/X8 Pro,设备采用了英诺赛科的全链路氮化镓(AllGaN)技术,这一合作不仅彰显了英诺赛科在高端智能手机市场的技术实力,也进一步证明了其在半导体领域的领先地位。
据了解,英诺赛科的氮化镓技术以其高能效、高频率的特性,为OPPO Find X8/X8 Pro系列手机带来了体积更小、充电更快且安全性更高的产品体验。在电源侧的快速充电技术(80W超级闪充和50W无线充)以及手机内部主板的充电过压保护(OVP)中,英诺赛科的氮化镓技术发挥了关键作用。OPPO选择英诺赛科作为合作伙伴,体现了对英诺赛科创新技术和产品性能的坚定信心。
在Find X8/X8 Pro系列手机的主板充电过压保护和50W无线充电产品中,英诺赛科的40V双向导通芯片VGaN发挥了重要作用。该芯片一颗替代了两颗背靠背的Si MOS,简化了内部空间,使产品设计更加轻薄。VGaN的双向导通或关断特性,能在手机充电过程中对电池进行主动保护,增强了产品的安全性和使用寿命。而50W无线充电技术则满足了用户随时随地快速充电的需求,为用户提供了极大的便利。
在充电侧的超级闪充上,英诺赛科高压GaN芯片的采用,使得80W超级闪充与此前标配的80W适配器相比,体积减小约18%,携带更为方便。这一技术的应用,不仅提升了用户体验,也进一步巩固了英诺赛科在半导体领域的技术优势。
英诺赛科与OPPO的长期深度合作,是双方对创新技术和产品性能信心的体现。此前,OPPO的多个系列产品,包括Find X7/X8/Ultra、Realme GT系列、一加Ace系列以及50W—150W快充,均采用了英诺赛科的AllGaN技术,实现了产品性能与竞争力的领先。
英诺赛科自成立以来,始终走在功率半导体革命的前沿,致力于氮化镓技术的创新与应用。经过多年的研发深耕,英诺赛科已在氮化镓芯片设计领域积累了丰富的技术经验,并拥有自主知识产权,形成了完整的技术体系。截至最后实际可行日期,公司在全球范围内已拥有约700项专利及专利申请,涵盖芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等多个关键领域。
作为全球首个实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业,英诺赛科不仅拥有业界领先的制造能力,同时也是全球唯一能够大规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的IDM公司。其产品广泛应用于消费电子、可再生能源、工业、汽车电子和数据中心等多个领域,能为各行各业客户提供多元化、定制化的服务,展现了强大的竞争实力。
未来,英诺赛科将继续深耕氮化镓技术,以卓越的技术助力合作伙伴打造极致优质的产品,共同推动行业的创新发展。随着技术的不断进步和应用领域的拓展,英诺赛科在功率半导体领域的领导地位将更加稳固,为全球客户提供更加高效、可靠的半导体解决方案。
