苏州锴威特半导体股份有限公司（下称“锴威特”）成立于2015年，主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务，科创板IPO已提交注册。
公开资料显示，锴威特通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。根据该公司公开的招股说明书注册稿显示，公司已获授权专利60项（其中发明专利18项、实用新型专利42项），集成电路布图设计专有权36项。
在功率器件方面，锴威特已同时具备硅基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标，增强了产品市场竞争力。
未来，锴威特表示将不断提升Si基MOSFET产品的技术和性能，开拓战略大客户；优化产品结构和应用领域，加强在超高压电压段的产品布局、技术积累和客户开发；进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET、超结MOSFET的产品系列，寻求对应的8英寸、12英寸产线代工资源和客户资源，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性；加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的1200V SiC MOSFET进行系列化开发，对围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V 2500V SiC MOSFET进行系列化开发。
在功率IC方面，锴威特基于晶圆代工厂0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台，公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成80余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。
锴威特未来计划始终坚持技术创新，持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养；实时关注国外先进厂商的技术发展动态，不断对照差距，进行前沿技术的研发与探索；公司将结合积累的研发经验和技术优势，持续加大对PWM控制IC和栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发，进一步丰富IP积累，开发更多的系列化产品；在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户，满足客户对高端功率IC的需求。
未来，锴威特还将进一步实现对各种细分品类芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和SiC功率器件的产品系列化。努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元件自主可控进程的发展。
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