10月24日，全球领先的智能终端制造商 OPPO 发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro，主打轻薄直屏和影像旗舰，天玑 9400 处理器与潮汐引擎的超强配置，配合冰川电池与极速充电技术，能够为用户带来流畅的操作体验和持久的续航表现。
据了解，OPPO 此次发布的 Find X8 / X8 pro 系列手机采用了英诺赛科全链路氮化镓（AllGaN）技术，从电源侧的快速充电（80W超级闪充和50W无线充）到手机内部主板的充电过压保护（OVP），均采用了英诺赛科氮化镓。
全链路氮化镓（AllGaN）技术
第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特性，能够打造体积更小、充电更快且安全性更高的产品。
OPPO 在 Find X8 / X8 pro 系列手机主板充电过压保护和 50W 无线充产品中，采用了英诺赛科40V双向导通芯片 VGaN，一颗替代两颗背靠背的 Si MOS，大大简化了内部空间，使产品设计更加轻薄。同时，VGaN 具备双向导通或关断的特性，能在手机充电过程中对电池进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。50W 无线充更是满足了用户随时随地快速充电的需求。
充电侧的超级闪充则采用了英诺赛科高压 GaN，该芯片采用 TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，效率更高。根据 OPPO 官方数据对比，采用英诺赛科高压 GaN 的 80W 超级闪充与此前标配的 80W 适配器相比，体积减小约18%，随身携带更方便。
作为全球领先的智能终端制造商 OPPO 选择与英诺赛科长期深度合作，体现了其对创新技术和产品性能的信心和决心。此前，OPPO 已有多个系列产品（包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充）的主板和充电器均采用了英诺赛科 AllGaN 技术，实现了产品性能与竞争力的领先。
而作为第三代半导体氮化镓革命的领导者，英诺赛科也将持续深耕，期待以更加卓越的技术助力 OPPO 打造极致优质的产品，共同推动行业创新。
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英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！
