2025 年 3 月 25 日，Semicon China 2025 亚洲化合物半导体大会开幕式上，碳化硅衬底领域的龙头企业天岳先进，作为重要赞助商，成为众人瞩目的焦点。天岳先进发表了《200mm SiC 衬底进展和 300mm SiC 衬底的机遇与挑战》主旨演讲，分享了超大尺寸衬底量产经验，以及液相法制备工艺等前沿成果。
据国际权威媒体日本富士经济最新统计，2024年天岳先进的全球市场占有率从 2023 年的 12%大幅跃升至 22.8%， 稳居国际第一梯队。这一显著提升，标志着中国企业在第三代半导体核心材料领域，已实现从“国产替代”到“全球引领”的重大跨越。
图片来源：日本富士经济·2025年最新统计发布
天岳先进能够取得如此辉煌成绩，背后离不开其强大的实力支撑。据悉，其位于上海临港的基地，具备年产 30 万片导电型衬底的规模化交付能力，产品良率与品质始终保持稳定管控状态。凭借卓越的产品表现，天岳先进在国际顶级 Tier1 供应商体系中脱颖而出获评高分，赢得了行业客户的信任与良好口碑。
作为全球碳化硅衬底技术的革新者，天岳先进本次在 Semicon China 2025 国际顶尖展会上，全方位展示了 6/8/12 英寸全系列碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸半绝缘型，12英寸N型，12英寸P型碳化硅衬底。
这场技术盛宴不仅宣告碳化硅行业正式迈入 "12英寸时代"，更标志着天岳先进已稳固掌握晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等的全技术链条突破，也预示着2025年将是大尺寸技术突破元年。
碳化硅产品的技术裂变也将助力新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G基站等多种高压应用场景，催生AR眼镜、卫星通信及低空经济等多重新兴领域蓬勃发展，助力万物互联时代的算力革命。
在全球碳化硅衬底市场格局重构的关键时期，天岳先进凭借“产能扩张+品质护航”双引擎驱动，实现了破局式增长。从天岳先进 6 英寸国产化突围，到全面进军12英寸新时代，十年磨一剑的硬核创新与技术裂变，不仅重构了碳化硅产业价值链，更在能源转型与数字经济的双轮驱动下，为全球碳中和目标的实现以及智能社会建设提供了关键材料支撑。天岳先进正以超大尺寸技术为支点，全力撬动第三代半导体产业万亿级市场的广阔蓝海。
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