4月19日，合肥晶合集成电路股份有限公司（以下简称“晶合集成”）发布《首次公开发行股票并在科创板上市发行公告》。公告显示，晶合集成公开发行股票数量约为5.02亿股，发行价格为19.86元/股，于4月20日进行网上申购。这意味着，晶合集成登陆科创板进入倒计时。
晶合集成登陆科创板，更像是一场双向奔赴的选择。
晶合集成业务聚焦于晶圆代工领域，是集成电路产业链中十分重要的一环，也是典型的技术密集型行业和资本密集型行业，技术更新迭代快、资金投入大、研发周期长，固定资产投资的需求较高、设备购置成本高，对企业实力要求极为苛刻。由此，晶合集成站上融资更便利的资本市场，是十分重要的战略选择。
而科创板自设立之初，就强调服务于符合国家战略、突破关键核心技术、市场认可度高的科技创新企业，重点支持新一代信息技术、高端装备、新能源等高新技术产业和战略性新兴产业。并在今年2月，上交所公开征求意见，再次明确了科创板的科创属性评价体系，资本市场对“硬科技”企业到科创板上市已基本形成共识。
成功登陆科创板，无疑将给晶合集成加上一层资金实力“BUFF”。而上市募投项目的实施，将提升晶合集成的技术水平，并进一步提升市场影响力。
业绩亮眼 叠加科创板“BUFF”
晶合集成成立于2015年，发展速度十分迅猛。
以近年来数据看，晶合集成业绩表现十分亮眼，营收及净利润均可圈可点。根据招股说明书，2020-2022年，晶合集成营业收入分别为15.12亿元、54.29亿元和100.51亿元，年均复合增长率达到157.79%；归母净利润分别为-12.58亿元、17.29亿元和30.45亿元。
以2022年营收看，晶合集成收入超过百亿元，在大陆晶圆代工企业中排名第3位，仅次于中芯国际和华虹半导体。据TrendForce集邦咨询2022年第三季度统计数据显示，晶合集成已成为全球第十大晶圆代工企业。
但面对市场竞争，晶合集成并不是高枕无忧。
晶合集成在招股书中表示，未来公司将进一步扩充产能并提高研发投入以满足下游客户对发行人稳定性更高、平台更多元的晶圆代工服务需求，公司也将提高对固定资产的投入，资金筹措能力面临较大的考验。
晶合集成要想进一步扩大营收规模及提高市场影响力，对资金实力要求极为苛刻，而登陆资本市场几乎是必经之路。对于扎根合肥的晶合集成来说，上交所科创板无疑是最合适的选择。
尤其在全面实行注册制后，上交所进一步坚守科创板定位，聚焦科创板“支持和鼓励‘硬科技’企业上市”的核心目标，专注服务“硬科技”。从上市募资来看，据统计，截至2023年3月底，科创板上市公司共计510家，募资总额超7700亿，占同期A股市场总募资金额的43%。可以看出，科创板已是IPO主力军，对科技创新企业的资金支持力度十分显著。
加入科创板之后，上市募集资金及后续多样化的融资方式，均为晶合集成加上一层资金实力“BUFF”。面对市场竞争及波动，晶合集成也更有底气。
募投项目聚焦先进制程
目前，晶合集成已实现150nm至90nm制程节点的12英寸晶圆代工平台的量产，90nm制程产品占比持续提升，涵盖了DDIC、CIS、MCU、PMIC以及其他逻辑芯片等领域。同时，晶合集成正在进行55nm制程节点的12英寸晶圆代工平台的风险量产。
集成电路产业是按“摩尔定律”快速进步的产业，终端应用的不断升级和多样化推动着工艺技术的持续进步。先进技术节点是未来集成电路晶圆代工行业发展的主要驱动力。一般而言，更先进、更精密制程节点的晶圆代工产品具备更优的性能，也更能体现企业的技术实力和市场竞争力。
晶合集成想要进一步发展，无疑需要进一步拓展更先进制程。而借助此次上市募投项目实施，对晶合集成技术水平的提升无疑立竿见影。
根据公告，晶合集成此次上市拟将募集资金用于合肥晶合集成电路先进工艺研发项目、收购制造基地厂房及厂务设施以及补充流动资金及偿还贷款。
其中，合肥晶合集成电路先进工艺研发项目又包括四个项目，分别是后照式CMOS图像传感器芯片工艺平台研发项目（包含90纳米及55纳米）、微控制器芯片工艺平台研发项目（包含55纳米及40纳米）、40纳米逻辑芯片工艺平台研发项目以及28纳米逻辑及OLED芯片工艺平台研发项目。
晶合集成表示，为积极开发多元化产品、向更先进制程节点顺利发展，晶合集成选择40纳米、28纳米和后照式CMOS图像传感器芯片制造工艺技术、微控制器芯片工艺平台作为先进工艺研发项目。
值得注意的是，在高端CMOS图像传感器领域，国内外市场主要被索尼、三星等日韩厂商所主导。晶合集成研发项目所开发的后照式CMOS图像传感器芯片技术，可有效打破国外龙头公司“卡脖子”垄断状态，满足国内庞大的市场需求。晶合集成拟进行的55/40纳米微控制器芯片及28纳米OLED显示驱动及逻辑芯片的开发，将有助于缓解目前国内“缺芯”的情况。
结合晶合集成情况来看，晶合集成具备完善的技术储备，可最大程度发挥研发优势，充分保证募投项目的成功实施。目前，晶合集成已建立完整技术研发团队，并自主开发成功覆盖多种产品应用的工艺技术。例如，后照式CMOS图像传感器芯片工艺平台方面，将晶合集成以现有90纳米前照式CMOS图像传感器工艺平台及55纳米工艺平台技术为基础，进行90/55纳米后照式图像传感器技术的开发。
借助募投项目的实施，在进一步推进晶合集成更先进制程节点研发的同时，也将丰富晶合集成工艺平台，增强市场竞争力及持续经营能力。晶合集成将依托核心优势、提升专业技术水平，逐步形成显示驱动、图像传感、微控制器、电源管理四大集成电路特色工艺应用产品线的发展战略。
叠加科创板“BUFF”，同时伴随募投项目的不断推进，晶合集成发展无疑更具确定性，前景更值得期待。
