在功率电子器件的浪潮中，氮化镓（GaN）技术以其卓越的性能和广泛的应用前景，正迅速崛起成为行业的新宠。根据沙利文预测，2023年是氮化镓产业开启指数级增长的元年，后续将以98.5%的复合年增长率加速增长，由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.42亿元。英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”），作为氮化镓技术的行业领先者，正凭借其强大的研发实力、精湛的生产技艺和多元化的产品阵容，引领着功率电子器件的革新浪潮。
据悉，英诺赛科由骆薇薇博士创立，总部位于中国苏州市吴江区，是一家致力于第三代半导体氮化镓研发与应用的高新技术企业。英诺赛科拥有珠海及苏州两座8英寸硅基氮化镓生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球最大的8英寸硅基氮化镓器件制造商，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。
氮化镓分立器件作为英诺赛科的核心产品之一，能够匹配多样化的封装选项，适用于从低压到高压的各种应用。产品电压范围广泛，从15V扩展至1,200V。英诺赛科的旗舰产品——双向氮化镓芯片V-GaN系列，以其创新的双向导通特性，能够在消费电子和工业应用等多个领域替代传统的硅MOSFET，实现空间节省和热量降低，从而大幅提升系统的成本效益。
除了分立器件，英诺赛科还致力于氮化镓集成电路的设计和制造。通过将氮化镓器件与驱动器、保护装置等其他电子元件集成，公司简化了电路设计，提高了系统的整体可靠性。这些集成电路以其低热量产生、高驱动效率、精确性和小型化设计，成为众多行业应用的首选解决方案。
英诺赛科凭借强大的量产能力和先进的8英寸硅基氮化镓晶圆生产工艺，确保了产品的稳定供应。截至2023年12月31日，公司的氮化镓分立器件累计出货量已超过5亿颗，这一里程碑式的成就凸显了其在全球市场的领导地位。
公司的技术创新和量产能力使其在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场占有率达到42.4%。英诺赛科的年度收入从2021年的6821.5万元人民币增长至2023年的5.9亿元人民币，收入复合年增长率高达194.8%。这一业绩不仅证明了市场对英诺赛科产品的认可，也预示着公司未来巨大的发展潜力。
在核心技术和关键工艺上的前瞻性战略和技术创新，使得英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产效率和成本效益显著优于传统的6英寸晶圆，其优势不仅体现在成本控制上，反映在生产效率上，能够使晶粒产出提高80%，成本降低30%。此外，公司还积极拓展氮化镓产品的应用领域，与电子消费产品、汽车、可再生能源等行业的领先企业建立了紧密的合作关系，构建了一个强大且多元化的行业生态系统。
随着新能源汽车等战略性新兴产业的快速发展，氮化镓功率半导体市场迎来了前所未有的机遇。行业预测显示，氮化镓功率半导体的市场规模将以98.5%的复合年增长率快速增长，从2024年的32.28亿元增长至2028年的501.42亿元。英诺赛科凭借其在氮化镓技术领域的深厚积累和持续创新，已经确立了其在行业中的领先地位。随着产能的释放和市场需求的增长，英诺赛科有望在未来实现盈利目标，并在全球功率半导体市场中扮演更加重要的角色。
