近日,英诺赛科(02577.HK)发布公告,公司已获选择即将被纳入恒生综合指数的成份股,并于2025年3月10日起生效。此次入选恒生综合指数的成份股,标志着英诺赛科在全球半导体行业的领先地位得到了资本市场的高度认可。此外,公司股票在获纳入恒生综合指数成份股后,预计将符合沪港通及深港通交易的纳入标准。
英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司,上市至今,公司凭借全球领先的市场地位和产能优势,收获了资本的广泛关注。
恒生综合指数作为衡量港股市场表现的重要指标之一,其成份股的选取标准极为严格。英诺赛科的入选,意味着其在市值、流动性、财务表现以及行业影响力等方面均达到了较高的水平。
纳入指数后,英诺赛科将吸引更多被动型基金和机构投资者的关注。这些投资者通常会根据指数成份股配置资产,因此英诺赛科有望获得更多的资金流入,从而进一步提升其在二级市场的流动性和估值水平。
随着全球数据流量的爆炸式增长,数据中心的能耗问题变得愈发突出。氮化镓功率器件因其低热生成率和高功率密度,在优化数据中心能效方面发挥着至关重要的作用。相较传统硅基器件,基于GaN的电源设备能够显著降低开关损耗,提升转换效率,同时实现更小的器件尺寸。
根据行业标准,服务器机架电源需要满足更加严格的能效要求。开放计算项目(OCP)提出的M-CRPS标准要求电源尺寸缩小30%,而GaN技术完全能够满足这一需求。随着行业巨头率先采用GaN电源,推动数据中心向更高效、更节能的方向迈进。通过降低电源损耗和冷却系统能耗,GaN技术为数据中心运营成本的下降和可持续发展目标的实现提供了强有力支持。
在新能源汽车领域,氮化镓同样扮演着重要角色。随着电动车对更高功率和更高能效的需求不断增长,GaN功率器件凭借其高开关速度和低损耗特性,为电动汽车中的逆变器和DC-DC转换器提供了理想解决方案。
当前市场上的许多高性能新能源汽车已经开始采用基于GaN的晶体管和二极管。例如,800V高压平台设计中的多级GaN解决方案已经取得显著进展,这将进一步推动氮化镓技术在电动汽车中的普及。相比之下,竞争技术如碳化硅(SiC)因材料短缺和成本问题面临挑战,进一步凸显了GaN的市场竞争力。
英诺赛科作为全球氮化镓技术的佼佼者,自2017年成立以来,已快速占据氮化镓市场绝对份额。以折算氮化镓分立器件出货量计,英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一,2023年市占率高达42.4%。
截至2024年6月30日,英诺赛科已拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地,产能达到每月12500片晶圆。作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业,英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能够使每晶圆的晶粒产出数提升80%,单颗芯片成本降低30%。
展望未来,英诺赛科有望凭借在氮化镓领域的深厚积累,在新能源汽车、数据中心能效优化等多个领域继续发挥引领作用,不断开创更加辉煌的业绩,为投资者创造更大的价值,同时也为全球半导体行业的发展贡献更多力量。
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