受下游新兴行业的需求推动,全球氮化镓市场正进入爆发期,新能源汽车、AI等新兴行业应用,对全球电源产品的能效提出更高要求,功率半导体芯片是电源产品的核心,氮化镓具有高频、电子迁移率高、抗辐射能力强、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势,与传统的硅及其他半导体材料相比,氮化镓在性能、工艺创新发展空间等方面,能更好满足当前全球功率半导体器件革命的迫切需求。
全球氮化镓半导体龙头企业英诺赛科作为行业翘楚,自成立以来,坚持IDM商业模式。虽然采用IDM模式的芯片厂商通常会因产能投入及研发,产生大额前期资本支出及研发开支,但该模式高度集成芯片设计、制造、测试、终端应用等全运营过程,尤其是芯片设计和制造工艺深度协同,能够极大提升芯片厂商的整体运营水平。
相比IDM模式,无晶圆设计(Fabless)公司受制造能力和工艺迭代局限,代工厂(Foundry)则缺乏向下游客户提供高效定制化解决方案能力,根据沙利文的预测,IDM商业模式将成为未来氮化镓行业供给侧的主流选择。
随着全球功率半导体市场下游应用向纵深发展,终端客户越来越重视芯片厂商的供应链稳定性、产品综合竞争优势,英诺赛科基于IDM商业模式,充分发挥研发与制造一体化协同威力,并依托其全球最大8英寸硅基氮化镓量产能力,实现稳定交付。截至2023年12月31日,以折算氮化镓分立器件计,公司的累计出货量超过5亿颗。
根据已披露的招股书,可以看出英诺赛科的技术实力可谓遥遥领先,作为全球氮化镓行业的创新者,英诺赛科的技术独特性首先体现在8英寸硅基氮化镓晶圆的量产,可谓实现了三方面的突破与提升:一是对氮化镓行业现有的6英寸技术的突破,开发了新的量产工艺和技术,并且实现大规模成熟量产;二是采用硅基技术路线制造氮化镓晶圆,与现有的8英寸硅制造设备兼容,公司对制造工艺进行了大量定制化改进;三是实现了在产品性能及效益上的显著提升,以招股书披露数据来看,与传统的6英寸晶圆相比,8英寸晶圆晶粒产出数提升了80%,单一器件成本降低30%。
除了制造能力独树一帜,公司在产品研发上实现了全电压谱系产品组合,是全球唯一一家在整个氮化镓产品电压范围内实现技术突破的公司,研发范围覆盖15V至1200V,可以较好满足下游广泛应用。为了在下游应用中充分发挥氮化镓的材料优势,公司还投入大量资源,开发先进封装工艺,以及投资大量资源,建设氮化镓可靠性测试体系,以确保产品符合卓越的工业应用和高端消费产品的可靠性要求。
根据全球知名咨询公司弗若斯特沙利文的资料,按收入计,2023年公司在全球氮化镓功率器件半导体公司中排名第一,按收入计市场份额高达33.7%。而且随着时间推移,公司不断深化运营能力,发挥规模经济效应,巩固公司在氮化镓行业内的先发优势,根据招股书数据,公司生产良率达到95%,功率半导体行业具有高客户粘性特征。随着产能释放和市场需求增长,在可预见的未来,公司更显长期价值,将实现持续高速增长。
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